Физический смысл постоянной Планка «h» для электромагнитных волн. Кванту действия поперечного вращения магнитного монополя, который обеспечивает его соответствующим моментом импульса и с определённой частотой в свободном вихроне при разрядке, всегда синхронно по величине заряда противодействует продольно двигающийся изменяющийся электрический монополь, который этим процессом рождает в узле на полволны другой магнитный монополь с противоположным знаком заряда. Повторение этого процесса, но с противоположным знаком, приводит к восстановлению знак заряда первичного монополя в узле на полной длине волны фотона. Происходит полное преобразование заряда энергии с одного знака на противоположный вращением путём переворота спина. Спин такой частицы поэтому и равен одной целой приведённой постоянной Планка.
Свободный вихрон фотонов может находится лишь в четырёх состояниях:
в свёрнутом состоянии в форме сферы магнитного монополя одного знака заряда энергии с предельным планковским размером около 10 -33 см,
волновода из электрических зёрен-потенциалов одного знака с соответствующим размером четверти длины волны соответствующей частоты на десять порядков больше размера сферы магнитного монополя,
в свёрнутом состоянии в форме сферы магнитного монополя с противоположным знаком после перезарядки в узле на полволне,
волновода из электрических зёрен-потенциалов с противоположным знаком и с соответствующим размером четверти длины волны соответствующей частоты.
Законы движения:
1. Закон безынерционного движения,
2. Законы инерционного движения,
3. Законы вращательного движения,
4. Законы электрического движения,
5. Законы теплового и звукового движения, ударная волна.
6. Законы переноса квантового состояния кластера вещества звуком,
7. Законы движения-роста флоры и фауны, фотосинтез, деление клеток.
И другие.
Законы физических полей:
1. Законы рождения физических полей,
2. Законы рождения пространств-полей от вихревых источников,
3. Законы рождения пространств-полей от стационарных источников,
4. Законы взаимодействия физических полей.
И другие.
1.1 Атом
Между атомом, определенным Ньютоном, и атомом современной физики существует глубокое различие, почти противоречие. Первый был действительно элементарным, т.е. «неделимый». Это мельчайшая элементарная частица, которую нельзя делить дальше. Для современной физики атом это целый архитектурный мир, весьма сложный по своему строению, причем процесс открытия составных его частей и нахождения или выявления его внутренних законов еще далеко не окончен.
Атом это первое, после элементарных частиц и атомных ядер, составное и архитектурно оболочечное соединение, созданное природой по известным законам электростатики и магнитных монополей. Это произведение природы следует отнести к первым продуктам самоорганизации вещественных структур форма интеграция материи в состоянии покоя. Самые первые продукты это атомы водорода и гелия, представленные на фото. 1б.
Фото 1б. Атомы водорода и гелия
Схема электрических полей атомов водорода и гелия в мгновенном состоянии пульсаций всех их магнитных монополей.
В силу структур внешней оболочки протона и электрона, образовавшийся с помощью холодной безмассовой плазмы атом водорода имеет асимметричное внешнее электрическое поле, которое не полностью скомпенсировано полем электрона. Это обусловлено тем, что частота ядерных монополей ГЭММ на три десятичных порядка выше электронных и соответственно плотность положительных электрических зёрен-потенциалов больше.
Отсюда следуют и его оригинальные свойства, как на ядерном уровне в форме дейтрона и тритона, так и на молекулярном.
Если создать искусственно технически в конденсированных средах-телах смещение нейтральности атома в сторону рождения дырки-лазейки во внешней электронной оболочке для выхода нескомпенсированного холодной безмассовой плазмой кластера положительного поля атомного ядра, то вечные магнитные монополи с частотой 1023 Гц будут непрерывно производить кластеры зёрен-потенциалов, которые можно будет захватывать и преобразовывать в холодное электричество для производства электроэнергии, как это уже было использовано в устройствах Н. Тесла, Э. Грея, Т. Морея, С. Флойда и других. Этот же механизм ответственен за многочисленные контактные явления на границе диэлектриков, металлов, проводников и полупроводников и рождение в них двойного электрического слоя.
К сожалению!!! По просьбе правообладателя доступна только ознакомительная версия...